Teknologi Memory MEMS

Nanochip Inc., yang merupakan perusahaan baru dari Silicon Valley, berhasil mengumpulkan dana $14 juta dari dari Intel Capital, yang merupakan organisasi investasi global milik Intel, guna mengembangkan lebih lanjut teknologi MEMS. Menurut Nanochip, teknologi MEMS ini tidak terbatasi oleh proses  lithography, yang memungkinkan produksi satu chip dengan kapasitas lebih dari 1 GB. Dengan tanpa terbatasi proses lithography, artinya produk yang lebih murah lagi, dan juga kesempatan menggantikan posisi fl ash memory, karena teknologi ini juga merupakan memory non-volatile. Ketika teknologi ini hadir untuk publik, dengan kapasitas pabrikan yang ada sekarang, akan dapat membuat produk pertama berbasis teknologi ini dengan perkiraan kapasitas 100 GB per chipnya. 

Dari teknologi lain seperti PRAM yang juga diperkirakan akan menggantikan memory flash dalam beberapa tahun lagi, karena ia non-volatile, dan jauh lebih cepat dari memory fl  ash biasa. Namun seperti yang Intel temukan dalam beberapa tahun terakhir, PRAM tidaklah memiliki skalabilitas yang baik dalam hal densitas (kapasitas). Selain itu, masih memiliki beberapa kendala yang harus dipecahkan, seperti keadaan  thermal-nya ketika beroperasi. Detail yang diberikan Nanochip rata-rata memang masih kurang jelas, walaupun dari yang dapat diketahui, perusahaan ini tengah mengerjakan hybrid micro-electric-mechanical. Selain itu, kerja sama dengan Intel juga menghubungkannya dengan penelitian PRAM. Nanochip menggambarkan teknologi ini sebagai platter yang berukuran sangat kecil yang dilapisi chalcogenide, dimana chalcogenide akan digerakkan di bawah ribuan probe  (komponen sensor) elektrik yang dapat membaca (read) dan menulis (write) chalcogenide ini. Menurut perhitungan kasar, diperkirakan ia dapat membentuk densitas satu terabit tiap inci persegi, atau 125 GB tiap inci persegi. Nanochip sendiri belum memberitahukan mengenai kecepatan akses dari memory dengan teknologi ini.